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IGBT
SGS5N150UF
General Description
Fairchild’s Insulated Gate Bipolar Transistor ( IGBT)
provides low conduction and switching losses.
SGS5N150UF is designed for the Switching Power
Features
? High Speed Switching
? Low Saturation Voltage : V CE(sat) = 4.7 V @ I C = 5A
? High Input Impedance
Supply applications.
Application
Switching Power Supply - High Input Voltage Off-line Converter
C
G
G C
E
TO-220F
E
Absolute Maximum Ratings
T C = 25 ° C unless otherwise noted
Symbol
Description
SGS5N150UF
Units
V CES
V GES
I C
I CM (1)
P D
T J
T stg
T L
Collector-Emitter Voltage
Gate-Emitter Voltage
Collector Current
Collector Current
Pulsed Collector Current
Maximum Power Dissipation
Maximum Power Dissipation
Operating Junction Temperature
Storage Temperature Range
Maximum Lead Temp. for Soldering
Purposes, 1/8” from Case for 5 Seconds
@ T C = 25 ° C
@ T C = 100 ° C
@ T C = 25 ° C
@ T C = 100 ° C
1500
± 20
10
5
20
50
20
-55 to +150
-55 to +150
300
V
V
A
A
A
W
W
° C
° C
° C
Notes :
(1) Repetitive rating : Pulse width limited by max. junction temperature
Thermal Characteristics
Symbol
R θ JC
R θ JA
Parameter
Thermal Resistance, Junction-to-Case
Thermal Resistance, Junction-to-Ambient
Typ.
--
--
Max.
2.5
62.5
Units
° C / W
° C / W
?2003 Fairchild Semiconductor Corporation
SGS5N150UF Rev. B
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